Nauka innov. 2013, 9(2):47-55
https://doi.org/10.15407/scin9.02.047

В.Л. Перевертайло, М.А. Тимошенко, Т.М. Вірозуб, І.Л. Зайцевский, Л.І. Тарасенко, О.В. Перевертайло, Е.А. Шкіренко, В.І. Ковригін, О.С. Крюков
ДП НДІ мікроприладів НТК «ІМК» НАНУ, Київ

Багатоканальні координатно-чутливі рентгенівські детекторні системи на основі кремнієвої інтегральної технології

Розділ: Світ інновацій
Мова статті: російська
Анотація: Розглянуті розробка, виготовлення і застосування кремнієвих інтегральних багатоелементних лінійних і матричних детекторів в гамма- і рентгенівських координатно чутливих системах для моніторинга синхротронного випромінювання і позитрон-емісійної томографії, для ре єст рації високоенергійних заряджених часток і рентгенівського випромінювання, застосування електроніки малошумлячого спектрометричного канала і перспективи застосування мікрочипів 128-канальної електроніки на основі КМОП (CMOS)-технології.
Ключові слова: односторонній і двосторонній мікростріповий детектор, фотодіодна лінійка і матриця, мікросхема багатоканальної зчитуючої електроніки, технологія інтегральних схем.

Повний текст (PDF)

Література:
1. Перевертайло В.Л. Разработка и характеристики кремниевых координатно-чувствительных детекторов для физики высоких энергий и ядерной физики. Ядерна фізика та энергетика. - 2008. - No.1 (23). - С. 88-95.
2. Перевертайло В.Л. Интегральные двухсторонние крем ниевые микростриповые детекторы. ТКЭА. - 2011. - No. 5. - С. 17-24.
3. Перевертайло В.Л. и др. Исследование параметров многоэлементных p-i-n фотодиодных структур на основе кремния. Тези доповідей на конф. «СЕМСТ-3». - Одеса, 2-6 червня 2008 р. - С. 153.
4. Перевертайло В.Л. Разработка фотоприемных интегральных систем, детекторов высокоэнергетичных γ-, β-, α-, рентгеновских излучений и интегральной считывающей электроники. «Стратегия выбора: 50 лет Киевскому НИИ микроприборов (1962-2012)». - К.: Корнійчук, 2012. - 528 с. - С. 480-508.
5. Evseev I.G., Rosenfeld A.B., Perevertaylo V.L. et al. Testing of the silicon strip detectors by 225 MeV electron beam. Procedings of the third Kiev’s International School on Nuclear Physics «New Trends in Nuclear Physics». - Kiev, June 22 - Jule 1 1992. - P. 472-478.
6. Перевертайло В.Л., Жора В.Д., Грунянская В.П. и др. Сборка кремниевых детекторов на гибких носителях типа Al-полиимид. Технология и конструирование в электронной аппаратуре . - 2009. - No. 1 (79). - С. 40-44.
7. Nemez O.F., Pavlenko Yu.N., Pugatch V.M. et al. Silicon annular strip detector . Proceeding of International symposium of atomic nuclear physic, Moscow, 16-19 June 1998. - P. 346.
8. Rosenfeld A., Perevertaylo V.L., Lerch M. et al. Spectral characterisation of a blue-enhanced silicon photodetector. IEEE Trans. of Nuclear Science. - V. 48 (2001). - N 4. - Р. 1220-1224.
9. Rosenfeld A.B., Lerch M.L.F., Perevertailo V.L. et al. Readout of LYSO Using a New Silicon Photodetector for Positron Emission Tomography. IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, 2003. - V. 2. - P. 1408-1412.
10. Lehner F., Pugatch V. Description and Characterization of Inner Tracker Silicon Prototype Sensors. LHCb Note - 2001 - 036, CERN, Geneva, - 2001. - 11 p.
11. Maslov N., Kulibaba V., Perevertaylo V. et al. Radiation tolerance of single-sided microstrip detector with Si3N4 insulator. Nuclear Physic B (Proceeding Supplements). - V. 78 (1999). - P. 689-694.
12. de Haas A.P., Kuijer P., Maslov N.I. et al. Characteristics and radiation tolerance of a double-sided microstrip detector with polysilicon biasing resistors. Problems of Atomic Science and Technology. Issue: Nuclear Physics Research (36). - 2000. - V. 2. - P. 26-33.
13. Kulibaba V., Maslov N., Potin S., Starodubtsev A. Interstrip Resistance of a Semiconductor microstrip detector. Problems of Atomic Science and Technology. Issue: Nuclear Physics Research. - 2001(39), No. 5. - P. 180-182.
14. Перевертайло В.Л. Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы. ТКЭА. - 2011. - No. 5. - С. 17-24.
15. Перевертайло В.Л., Попов В.М., Поканевич А.П. и др. Исследование параметров многоэлементных p-i-n-фотодиодных структур на основе кремния. Тези доповідей на конф. «СЕМСТ-3». - Одеса, 2-6 червня 2008 р. - С. 153.
16. Ryzhikov V.D., Opolonin O.D., Grynyov B. et al. The looking detecting circuits for digital radiographic systems with advanced spatial resolution. Functional Materials. - V. 18 (2011). - No. 3. - P. 398-401.
17. Рижиков В.Д., Ополонін О.К., Лисецька О.К. и др. Дослідження характеристик детекторів на основі сцинтилятор-фотоприймальний пристрій для цифрової радіографії. Нові технології. - 2004. - No. 1-2 (4-5). - С. 8-12.
18. http:.www.detector.org.ua - сайт предприятия «БИТ» (Украина).
19. Перевертайло В.Л. Характеристики и технология изготовления кремниевых планарных p-i-n-фотодиодов для сцинтиэлектронных детекторов. Электроника и связь. Тематический выпуск «Проблемы электроники». - 2007. - Ч. 1. - C. 15-23.
20. Перевертайло В.Л., Тимошенко М.А., Вірозуб Т.М. та ін. Розробка багатоканальних координатно-чутливих гамма-, рентгенівських детекторних систем на основі кремнієвої інтегральної технології. Тези доповідей на конф. «СЕМСТ-5». - Одеса, 4-8 червня 2012 р. - С. 46.
21. Перевертайло В.Л. Создание элементной базы для ядерно-физического и радиационного приборостроения на основе кремниевой интегральной технологии. Труды Пятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии». - Одесса, 17-21 мая 2004 г. - C. 200. for new possibilities of improvement of receiving