Бояринцев, АЮ, Гектін, ОВ, Зосим, ДІ, Іванов, ОІ, Шляхтуров, ВВ, Гаврилюк, ВП
Nauka innov. 2010, 6(6):38-44
https://doi.org/10.15407/scin6.06.038
Рубрика: Науково-технічні інноваційні проекти Національної академії наук України
Мова: Російська
Анотація: 
Описана розробка позиційно чутливих детекторів на основі сцинтиляційних монокристалів CsI(Na). Показана роль новацій на різних технологічних стадіях розробки як матеріалу, так і виготовлення власне детектора, що забезпечили створення якісно нового типу детектора радіації. Особливістю розробки є комплексність підходу до різних стадій процесу виробництва детекторів. Запропонований підхід апробовано на статистичній серії із 46 детекторів.
Ключові слова: детектування радіації, довгомірний сцинтиляційний позиційно-чутливий детектор, неоднорідність світлового виходу, сцинтилятор CsI(Na)
Посилання: 
1. Цирлин Ю.А., Глобус M.E., Сысоева Е.П. Оптимизация детектирования гамма-излучения сцинтилляционными кристаллами. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 179 с.
2. Gavryluk V., Gektin A., Zosim D., Yankelevich V. Long Length Scintillators for the Position Sensitive Radiation Detectors // Abstracts Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference. — Lyon (France). — 2000. — Р. 263.
3. Boyarintsev A., Gavryluk V., Gektin A., Zosim D. Position Sensitive Scintillators for Astrophysical Aplications // Proc.of the Int.Conf.on Inorganic Scintillators and their Industrial Applications (Scint-2005). — Alushta (Ukraine). — 2005. — P. 164.
4. Горилецкий В.И., Гринев Б.В., Заславский Б.Г. и др. Рост кристаллов. Галогениды щелечных металлов. — Харьков: Акта, 2002. — 535 с.
5. Панова А.Н. Неорганические сцинтилляторы // Изв.АН. СССР. Сер. Физ. - 1985. — Т. 49, № 10. — С. 1994.
6. Тагараджан Р., Урусовская А.А. Движение и размножение дислокаций в кристаллах йодистого цезия // ФТТ. — 1965. — Т. 7, № 1. — С. 88.
7. Kudin A., Sysoeva E.P., Sysoeva E.V., et al. Factors which define on alpha/gamma ratio in CsI:Tl crystals // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. — 2005. — A537. — Р. 105.
8. Блистанов А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. — М.: МИСИС, 2000. — 431 с.
9. Патент 2017170 С1 РФ, 5 G01 Т 1/202. Способ изготовления щелочно-галоидных сцинтилляторов / Андрющенко Л.А., Гершун А.С., Сотников В.Т., Черников В.В. // Институт монокристаллов НАН Украины. — № 5006562/25. — Заявл. 02.07.91; Опубл. 30.07.94, Бюл.№14. — 14 с.
10. Гектинт А.В., Ширан Н.В., Серебряный В.А. Роль вакансионных дефектов в люминесценции CsI // Оптика и спектроскопия. — 1992. — Т. 22, № 5. — С. 1061.
11. Моргенштерн З.Л. Свечение неактивированных монокристаллов CsI // Оптика и спектроскопия. — 1959. — № 7. — С. 231.
12. Babin V., Elango A., Kalder K., Zazubovich S. Effect of uniaxial stress on exciton luminescence in CsI crystals// Phys.Status.Solidi (b). — 1999. — 212. — P. 185.
13. Boyarintsev А., Gayshan V., Gektin A., Zosim D. Mechanical deformation effect on CsI(Tl) scintillators efficiency // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. — 2003. — A505. — Р. 97.
14. Рогов В.В., Ветров А.Г., Бояринцев А.Ю. Развитие технологии алмазного микрофрезерования деталей из неметалических материалов // Сверхтвердые материалы. — 2003. — № 6. — С. 85-86.
15. Рогов В.В., Данько А.Я., Сенчишин В.Г., Бояринцев А.Ю. Резцы из сапфира и рубина (α-Al2 O3 ) для лезвийной финишной обработки сцинтилляционных материалов // Сверхтвердые материалы. — 2006. — № 2. — С. 59.
16. Панова А.Н., Гринев Б.В., Лаврентьев Ф.Ф. и др. Роль активаторных и вакансионных центров в затухании гамма — сцинтилляций кристаллов CsI-Na // ЖПС. — 2004. — Т. 71, № 4. — С. 502.
17. Gektin A.V., Gavrylyuk V.P., Zosim D.I., Yankelevich V.L. Unidimensional Position Sensitive Detector // Functional Matherials. — 2005. — V. 12, № 1. — Р. 131-141.
18. Gwin R., Murray R. // Phys. Rev. — 1963. — V. 131. — P. 501.