Nauka innov. 2014, 10(2):49-54
https://doi.org/10.15407/scin10.02.049

М.С. Бродин¹, В.Т. Весна¹, В.Я. Дегода¹, І.Л. Зайцевський², Б.В. Кожушко^1
1 Інститут фізики НАН України, Київ
² Інститут проблем безпеки атомних електростанцій НАН України, Київ

Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання

Розділ: Світ інновацій
Мова статті: українська
Анотація: Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання в широкому діапазоні енергій. На виготовленому макеті приладу продемонстрована можливість реєстрації гамма-квантів за допомогою високоомного детектора із ZnSe в режимі окремих імпульсів.
Ключові слова: рентгенівське і гамма-випромінювання, напівпровідниковий детектор, монокристал селеніду цинку, зарядочутливий підсилювач.

Повний текст (PDF)