Розробка промислових методів виготовлення позиційно чутливих детекторів CsI(Na)

ЗаголовокРозробка промислових методів виготовлення позиційно чутливих детекторів CsI(Na)
Тип публікаціїJournal Article
Year of Publication2010
АвториБояринцев, АЮ, Гектін, ОВ, Зосим, ДІ, Іванов, ОІ, Шляхтуров, ВВ, Гаврилюк, ВП
Short TitleNauka innov.
DOI10.15407/scin6.06.038
Об'єм6
Проблема6
РубрикаНауково-технічні інноваційні проекти Національної академії наук України
Pagination38-44
МоваРосійська
Анотація
Описана розробка позиційно чутливих детекторів на основі сцинтиляційних монокристалів CsI(Na). Показана роль новацій на різних технологічних стадіях розробки як матеріалу, так і виготовлення власне детектора, що забезпечили створення якісно нового типу детектора радіації. Особливістю розробки є комплексність підходу до різних стадій процесу виробництва детекторів. Запропонований підхід апробовано на статистичній серії із 46 детекторів.
Ключові словадетектування радіації, довгомірний сцинтиляційний позиційно-чутливий детектор, неоднорідність світлового виходу, сцинтилятор CsI(Na)
Посилання
1. Цирлин Ю.А., Глобус M.E., Сысоева Е.П. Оптимизация детектирования гамма-излучения сцинтилляционными кристаллами. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 179 с.
2. Gavryluk V., Gektin A., Zosim D., Yankelevich V. Long Length Scintillators for the Position Sensitive Radiation Detectors // Abstracts Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference. — Lyon (France). — 2000. — Р. 263.
3. Boyarintsev A., Gavryluk V., Gektin A., Zosim D. Position Sensitive Scintillators for Astrophysical Aplications // Proc.of the Int.Conf.on Inorganic Scintillators and their Industrial Applications (Scint-2005). — Alushta (Ukraine). — 2005. — P. 164.
4. Горилецкий В.И., Гринев Б.В., Заславский Б.Г. и др. Рост кристаллов. Галогениды щелечных металлов. — Харьков: Акта, 2002. — 535 с.
5. Панова А.Н. Неорганические сцинтилляторы // Изв.АН. СССР. Сер. Физ. - 1985. — Т. 49, № 10. — С. 1994.
6. Тагараджан Р., Урусовская А.А. Движение и размножение дислокаций в кристаллах йодистого цезия // ФТТ. — 1965. — Т. 7, № 1. — С. 88.
7. Kudin A., Sysoeva E.P., Sysoeva E.V., et al. Factors which define on alpha/gamma ratio in CsI:Tl crystals // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. — 2005. — A537. — Р. 105.
8. Блистанов А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. — М.: МИСИС, 2000. — 431 с.
9. Патент 2017170 С1 РФ, 5 G01 Т 1/202. Способ изготовления щелочно-галоидных сцинтилляторов / Андрющенко Л.А., Гершун А.С., Сотников В.Т., Черников В.В. // Институт монокристаллов НАН Украины. — № 5006562/25. — Заявл. 02.07.91; Опубл. 30.07.94, Бюл.№14. — 14 с.
10. Гектинт А.В., Ширан Н.В., Серебряный В.А. Роль вакансионных дефектов в люминесценции CsI // Оптика и спектроскопия. — 1992. — Т. 22, № 5. — С. 1061.
11. Моргенштерн З.Л. Свечение неактивированных монокристаллов CsI // Оптика и спектроскопия. — 1959. — № 7. — С. 231.
12. Babin V., Elango A., Kalder K., Zazubovich S. Effect of uniaxial stress on exciton luminescence in CsI crystals// Phys.Status.Solidi (b). — 1999. — 212. — P. 185.
13. Boyarintsev А., Gayshan V., Gektin A., Zosim D. Mechanical deformation effect on CsI(Tl) scintillators efficiency // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. — 2003. — A505. — Р. 97.
14. Рогов В.В., Ветров А.Г., Бояринцев А.Ю. Развитие технологии алмазного микрофрезерования деталей из неметалических материалов // Сверхтвердые материалы. — 2003. — № 6. — С. 85-86.
15. Рогов В.В., Данько А.Я., Сенчишин В.Г., Бояринцев А.Ю. Резцы из сапфира и рубина (α-Al2 O3 ) для лезвийной финишной обработки сцинтилляционных материалов // Сверхтвердые материалы. — 2006. — № 2. — С. 59.
16. Панова А.Н., Гринев Б.В., Лаврентьев Ф.Ф. и др. Роль активаторных и вакансионных центров в затухании гамма — сцинтилляций кристаллов CsI-Na // ЖПС. — 2004. — Т. 71, № 4. — С. 502.
17. Gektin A.V., Gavrylyuk V.P., Zosim D.I., Yankelevich V.L. Unidimensional Position Sensitive Detector // Functional Matherials. — 2005. — V. 12, № 1. — Р. 131-141.
18. Gwin R., Murray R. // Phys. Rev. — 1963. — V. 131. — P. 501.